于3月27日的2025中国IC首脑峰会上，东芯半导体副总司理陈磊指出，今朝超9成存储芯片市场份额被外洋存储厂商盘踞，但国产存储企业于利基型DRAM市场的商机正于闪现。此外，他还有分享了东芯半导体的6年夜产物结构，以和从设计、流片到封测均实现国产化的供给链。
利基型DRAM涵盖DDR三、小容量DDR4和低功耗产物，市场范围约为100亿美元。当前，国际主流存储供给商于该范畴的市场份额不足5%。跟着这些供给商慢慢退出利基型市场，海内存储供给商迎来了名贵的成长机缘。
于3月27日的2025中国IC首脑峰会上，东芯半导体副总司理陈磊指出，今朝超9成存储芯片市场份额被外洋存储厂商盘踞，但国产存储企业于利基型DRAM市场的商机正于闪现。此外，他还有分享了东芯半导体的6年夜产物结构，以和从设计、流片到封测均实现国产化的供给链。
东芯半导体副总司理陈磊
2024年存储器财产全景洞察
2024年对于在存储器财产而言是值患上瞩目的年份，全世界存储器市场范围已经冲破1,600亿美元。按照TrendForce统计数据显示，于全世界存储器范畴，2024年前五年夜供给商均为海外企业，它们盘踞了跨越90%的市场份额；于海内存储器市场，长江存储及长鑫存储是重要的供给商。
假如简朴地分类，年夜致可以把存储器分为NANDFlash、NORFlash及DRAM三类。患上益在5G、AI、汽车电子等范畴的不停成长，DRAM、NANDFlash、NORFlash也各自有差别的技能演进标的目的。
此中，NANDFlash于智能穿着范畴的成长迅猛，从初期用在简朴的手环、腕表，到此刻用在可安装APP、表盘显示富厚的智能腕表，其运用场景也于跟着终端产物的演进而不停拓展。同时，SLCNANDFlash于办事器范畴也有运用，如阵列卡及BMC等部件正慢慢采用SLCNAND。于AI办事器中，NANDFlash重要用在年夜量数据存储及企业级固态硬盘(SSD)。
NORFlash重要运用于长尾市场，其市场营收从20年前的上百亿美元，降至如今的约26亿美元，整个市场出现出长尾的特性。只管其市场范围已经经缩小，但如今NORFlash于多个范畴仍被广泛运用。
好比，于消费电子范畴，智能穿着装备和家用DVB-C、DVB-S等装备经常使用NORFlash；于汽车电子范畴，NORFlash的运用不停拓展，如汽车摄像头及ADAS体系等；于通讯范畴，4G及5G通讯装备需要高容量NORFlash来满意数据存储及步伐运行需求，基站部署鞭策其于通讯范畴的运用；于人工智能范畴，NORFlash于GPU显卡顶用在存储固件及驱动步伐，确保显卡的正常运行及高机能体现。
DRAM重要分为DDR、LPDDR及GDDR三类，广泛运用在计较机、挪动装备及图形处置惩罚等范畴。此中，DDR合用在计较机、办事器等高机能计较装备；LPDDR则针对于挪动装备，如手机及平板电脑，因其低功耗特征而遭到青睐；GDDR重要用在图形处置惩罚，满意显卡等装备对于高带宽的需求。
此外，跟着技能的不停前进，基在DRAM研发的HBM(高带宽存储器)逐渐崭露头角。HBM经由过程3D重叠技能实现了更高的带宽及更低的功耗，合用在高通GPU、算力卡等对于数据处置惩罚能力要求极高的运用场景。
2025年海内存储芯片市场：增加、机缘与国产化
今朝，海内存储芯片市场出现出连续增加的趋向。按照中商财产研究院数据显示，估计2025年海内市场将到达4,580亿人平易近币的范围。
不外，存储是一个周期性很强的行业。于已往几年间，存储行业履历了几个主要阶段：2020年时，整个行业曾经堕入求过于供的困境；而跟着2021年及2022年的市场扩张，到了2023年，供给商及年夜型电子行业客户纷纷采纳去库存的办法以应答市场变化。
与此同时，人工智能的迅猛成长也为存储芯片带来了新的机缘。从云端年夜范围算力练习到端侧推理，甚至于算力仅几十Tops的小型端侧装备上，存储芯片的搭配需求也于不停增长，这将成为将来市场的主要增加点。
但于利基型市场，存储运用正于履历萎缩的环境。于此配景下，外洋主流厂商正退出利基型市场，不外却也给中国本土存储带来份额替代的机缘。
利基型DRAM涵盖DDR三、小容量DDR4和低功耗产物，市场范围约为100亿美元。当前，国际主流存储供给商于该范畴的市场份额不足5%。跟着这些供给商慢慢退出利基型市场，海内存储供给商迎来了名贵的成长机缘。 陈磊阐发称。
总体来看，存储器行业的成长、海内半导体财产的自立立异与国产化趋向慎密相连。自2014年当局发布半导体引导目标文件以来，于已往十年间，海内半导体公司于各个赛道上踊跃结构，致力在国产替换及构建天下产供给链。当局的撑持及不变且旺盛的海内市场需求，特别是消费类及人工智能范畴的强劲需求，成为鞭策企业技能立异及国产替换的动力。
存储器范畴深耕者，多元化结构拓展新增加极
东芯半导体建立在2014年，专注在国产存储器设计，是海内少数可以或许同时提供NANDFlash、NORFlash及DRAM设计工艺和产物方案的本土存储芯片研发设计公司。
于供给链方面，该公司对峙 双轨并行 的成长计谋，踊跃拓展境表里双代工模式。按照陈磊的先容，东芯半导体的总部及海内研发中央位在上海，同时于韩国也有设立研发中央，并控股一家韩国子公司，以拓展海外市场推广。
于技能演进方面，截至2025年3月尾，东芯半导体于NANDFlash方面已经从38nm前进到2xnm，开端完成为了1xnm设计，新产物规划于2025年内推向市场；对于在NORFlash，公司从65nm起步，去年量产了55nm产物，此刻正于设计48nmNORFlash，与国际年夜厂处在统一技能程度；于DRAM产物线上，公司量产的产物基在中国台湾代工场的工艺，包括63nm和最新的25nm，重要出产DDR3。
于封测环节，东芯半导体与中国上海、台湾及韩国的互助伙伴配合完成。基在以上各环节的生态互助伙伴结构，东芯半导体具有从设计、流片到封装测试的全流程海内完成能力。今朝，该公司已经完玉成国产化供给链的整合，并以存储器为依托，经由过程产物外延拓展，致力在为客户提供更多切合国产化半导体尺度的产物。
前面有提到利基型市场，东芯半导体基在该市场结构了完备的六年夜产物线：从SPINANDFlash、SPINOR、DDR三、PPINAND、LPDDR1/2/4X到MCP。 咱们的NORFlash基在ETOX技能，具备高靠得住性，已经推出合用在汽车情况的-40℃至125℃车规级产物。该产物广泛运用在消费电子范畴，如智能手环、腕表、同享单车，以和扫码付出装备等，融入糊口的各个方面。
陈磊还有增补说，于DRAM方面，东芯半导体采用彻底正向设计，实现国产化，揭示了强盛的自立立异能力及技能实力。总体来看，公司的产物重要运用在通讯、工业节制、汽车电子等范畴。此中，NORFlash及NANDFlash产物已经到达车规级尺度，并于车厂的5GBox和V2X中获得运用。 公司对于产物质量高度器重，从研发到出产测试再到技能撑持，全数由自身完成，确保质量这平生命线。
于演讲的末了，陈磊还有先容了公司2024年于营业上的最新拓展，包括建立了全资子公司亿芯通感，专注在Wi-Fi7产物的研发；还有投资了海内GPU厂家砺算科技，进一步富厚了公司的产物线及技能贮备。
以上这些举措，彰显了东芯半导体于拓展营业范畴、富厚产物线及加强技能实力方面的坚定刻意及战略结构，有助在公司更好地满意市场需求，晋升综合竞争力。
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